Chilas技术:混合集成外腔激光器(ECL)
Chilas 激光器采用先进的混合集成激光技术所制造，核心主要由两部分构成：以磷化铟(InP)反射式半导体光放大器(RSOA)作为增益介质，以氮化硅(Si₃N₄)波导回路作为外腔。RSOA 与外腔采用端面耦合方式连接。谐振腔内，采用两个自由光谱范围(FSR)具有轻微差异的耦合微环谐振器(MRR)通过游标效应可确保激光器稳定工作在单频模式。通过热调单元可对微环谐振器实现 2π 全相移调谐，使激光器能够覆盖增益带宽内的任意波长。
得益于低腔损耗与长光腔的核心设计，Chilas 激光器可同时实现高输出功率(> 10 mW)与超窄线宽(< 1 kHz)。
激光器采用标准 14 针蝶形封装，内置帕尔贴(TEC)制冷元件；输出为带标准 FC/APC 接头的保偏(PM)光纤跳线。可根据客户需求提供其他封装形式与光纤配置。
技术文献
深耕技术研发的同时，我们积极参与国际学术会议并发布最新研究成果。点击此处查看近期发表成果汇总。
如需深入了解我们的混合集成技术、调谐机制、激光线宽以及不同波段的技术细节，可查阅以下期刊论文
• “基于氮化硅反馈回路的混合集成半导体激光器” K.-J. Boller, et al., Photonics 7(1), 4 (2019), DOI。
• “基于紫外透明材料的宽可调谐窄线宽紫光激光器”, C. A. A. Franken, et al., Nat. Commun. 16, 10294 (2025)，DOI。
• “637 nm 波段宽可调谐窄线宽混合集成半导体激光器”, L. V. Winkler, Opt. Express 32(17), 29710–29720 (2024)，DOI。
• “磷化铟-氮化硅(InP-Si3N4)混合集成半导体激光器的长期绝对稳频”, A. van Rees, et al., IEEE Photonics J. 15(5), 1502408 (2023)，DOI。
• “可见光波段混合集成半导体激光器”, C. A. A. Franken, et al., Opt. Lett. 46(19), 4904–4907 (2021)，DOI。
• “本征线宽 40 Hz 的磷化铟 - 氮化硅(InP-Si3N4)混合集成半导体激光器”, Y. Fan, et al, Opt. Express 28(15), 21713–21728 (2020)，DOI。
• “基于微环谐振器增强的集成外腔激光器无跳模波长调谐技术”, A. van Rees, et al., Opt. Express 28(4), 5669–5683 (2020)，DOI。
• “磷化铟 - 氮化硅(InP-Si3N4)光子混合集成激光器”, Y. Fan, et al., IEEE Photonics J. 8(6), 1505111 (2016)，DOI。
• “基于短波导外腔的波长可调谐半导体激光器实现 25 kHz 窄光谱带宽”, R. M. Oldenbeuving, et al., Laser Phys. Lett. 10, 015804 (2013)，DOI。